Zobrazeno 1 - 10
of 16
pro vyhledávání: '"low-current measurements"'
Publikováno v:
ChemElectroChem
ChemElectroChem, Weinheim : Wiley-VCH, 2021, 8 (12), pp.2298-2307. ⟨10.1002/celc.202100517⟩
ChemElectroChem, Weinheim : Wiley-VCH, 2021, 8 (12), pp.2298-2307. ⟨10.1002/celc.202100517⟩
International audience; This paper elaborates on an instrumental scheme for translating electrochemical reactions occurring at an electrode under potentiostatic control into fluorescent signals. We examine the performance enhancement of this device u
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
I2MTC
Impedance and low frequency noise measurements are valuable and complementary methods for electron device characterization. In this work we propose an integrated method for impedance and low frequency noise measurements in which impedance measurement
Autor:
G. Spengler, Laurent Devoille, W. Poirier, F Schopfer, F. Piquemal, S Lotkhov, B. Chenaud, Olivier Séron, B Steck, Nicolas Feltin, S. Sassine
Publikováno v:
Sba: Controle & Automação Sociedade Brasileira de Automatica v.21 n.6 2010
Sba: Controle & Automação Sociedade Brasileira de Automatica
Sociedade Brasileira de Automática (SBA)
instacron:SBA
Sba: Controle & Automação Sociedade Brasileira de Automatica, Volume: 21, Issue: 6, Pages: 609-615, Published: DEC 2010
Sba: Controle & Automação Sociedade Brasileira de Automatica
Sociedade Brasileira de Automática (SBA)
instacron:SBA
Sba: Controle & Automação Sociedade Brasileira de Automatica, Volume: 21, Issue: 6, Pages: 609-615, Published: DEC 2010
We present our experimental set-up and discuss the results obtained with the quantum metrological triangle (QMT) experiment. This experiment consists in realizing Ohm's law with the three effects used and investigated in quantum electrical metrology:
Publikováno v:
I2MTC
In this work we propose a measurement setup topology suitable for the automatic DC and low frequency noise (LFN) characterization of field effect transistors at wafer level. The system is composed of source and measure units (SMUs), by a custom-built
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8e0c12ebf1c9310aa5a8a8f42917a88f
http://hdl.handle.net/11570/3069614
http://hdl.handle.net/11570/3069614
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.