Zobrazeno 1 - 10
of 80
pro vyhledávání: '"low temperature activation"'
Publikováno v:
Frontiers in Chemistry, Vol 12 (2024)
The M/SSZ-39 catalysts (M = In, Co, Cu, Fe) with different metal species and metal loadings were synthesized using the wet impregnation method on a small-pore SSZ-39 molecular sieve. X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM), ni
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aa713bb7d1cf4143be068b470a10e30f
Publikováno v:
Chemistry, Vol 5, Iss 2, Pp 1101-1112 (2023)
The Mn-Na2WO4/SiO2 catalyst is regarded as the most promising catalyst for the oxidative coupling of methane (OCM). Despite its remarkable performance, the Mn-Na2WO4/SiO2 catalyst requires a high reaction temperature (>750 °C) to show significant ac
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/409c26ffe684432da874201dbbbc43ef
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials, Vol 15, Iss 1, p 334 (2022)
Low-temperature activation of oxide semiconductor materials such as In-Ga-Zn-O (IGZO) is a key approach for their utilization in flexible devices. We previously reported that the activation temperature can be reduced to 150 °C by hydrogen-doped IGZO
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4d808f57d70349e3bea241a5e67851e6