Zobrazeno 1 - 10
of 2 475
pro vyhledávání: '"low parasitic capacitance"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 84900-84911 (2023)
An LLC resonant converter should have high efficiency and power density. Further, it is important to reduce the volume and loss of the transformer, which provides insulation and voltage conversion between the input and output. When a planar core is u
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/edce2bc67f6247d6863eeb006fe355a6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schmelz, M., Stolz, R., Zakosarenko, V., Schönau, T., Anders, S., Fritzsch, L., Mück, M., Meyer, M., Meyer, H.-G.
Publikováno v:
In Physica C: Superconductivity and its applications 20 November 2012 482:27-32
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Sensors & Actuators: A. Physical 2009 154(1):35-41
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tatsuya Kurose, Seiji Ishikawa, Mikael Östling, Carl-Mikael Zetterling, Takeshi Ohshima, Takahiro Makino, Shin-Ichiro Kuroki, Hiroshi Sezaki, Tomonori Maeda
Publikováno v:
Materials Science Forum. 924:971-974
Low-parasitic-capacitance 4H-SiC nMOSFETs using a novel self-aligned process were suggested and demonstrated. In these nMOSFETs, device characteristics including parasitic capacitances (gate-source, gate-drain, drain-source capacitance) were investig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::905f1be3d419a8a2b330e1eb69d24c2e
https://repo.qst.go.jp/records/49123
https://repo.qst.go.jp/records/49123