Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"low‐power high‐speed operation"'
Autor:
Eunseon Yu, Baegmo Son, Byungmin Kam, Yong Sang Joh, Sangjoon Park, Won‐Jun Lee, Jongwan Jung, Seongjae Cho
Publikováno v:
ETRI Journal, Vol 41, Iss 6, Pp 829-837 (2019)
The p‐type nanowire field‐effect transistor (FET) with a SiGe shell channel on a Si core is optimally designed and characterized using in‐depth technology computer‐aided design (TCAD) with quantum models for sub‐10‐nm advanced logic techn
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/805c2fc8530d4402b99abdd3f57d621a
Autor:
Won-Jun Lee, Jongwan Jung, Yong Sang Joh, Seongjae Cho, Eunseon Yu, Sang-Joon Park, Byungmin Kam, Baegmo Son
Publikováno v:
ETRI Journal, Vol 41, Iss 6, Pp 829-837 (2019)
The p‐type nanowire field‐effect transistor (FET) with a SiGe shell channel on a Si core is optimally designed and characterized using in‐depth technology computer‐aided design (TCAD) with quantum models for sub‐10‐nm advanced logic techn
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.