Zobrazeno 1 - 10
of 98
pro vyhledávání: '"lightly doped drain (LDD)"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yi-Chuen Eng, Luke Hu, Tzu-Feng Chang, Steven Hsu, Chun Mao Chiou, Ted Wang, Chih-Wei Yang, Chien-Ting Lin, I-Chang Wang, Ming-Chih Chen, Andy Lai, Pei-Wen Wang, Chia-Jung Hsu, Wen-Yuan Pang, Chin-Hao Kuo, Osbert Cheng, Chih-Yi Wang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 1, Pp 18-22 (2017)
This paper aims to investigate the device parameters, including drain-induced barrier lowering (DIBL), subthreshold swing (SS), and saturation drive current, Id,sat, of bulk-Si n-channel FinFET devices (bulk n-FinFETs). The impact of lightly doped dr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9275c6569a6b4258847de41cceafc9ec
Publikováno v:
Membranes, Vol 11, Iss 2, p 103 (2021)
The raised source/drain (RSD) structure is one of thin film transistor designs that is often used to improve device characteristics. Many studies have mentioned that the high impact ionization rate occurring at a drain side can be reduced, owing to a
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/06888b719a3c43df9098e9e7446fbc40
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Membranes, Vol 11, Iss 103, p 103 (2021)
Membranes
Volume 11
Issue 2
Membranes
Volume 11
Issue 2
The raised source/drain (RSD) structure is one of thin film transistor designs that is often used to improve device characteristics. Many studies have mentioned that the high impact ionization rate occurring at a drain side can be reduced, owing to a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6fb7a74c543099647b1f408e37b445cd
https://www.mdpi.com/2077-0375/11/2/103
https://www.mdpi.com/2077-0375/11/2/103
Autor:
Chien-Ting Lin, Yi-Chuen Eng, Chin-Hao Kuo, Steven Hsu, Osbert Cheng, Chia-Jung Hsu, Ted Wang, Chen Ming-Chih, Pei-Wen Wang, Chih-Wei Yang, Chih-Yi Wang, Chun Mao Chiou, I-Chang Wang, Tzu-Feng Chang, Andy Lai, Wen-Yuan Pang, Luke Hu
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 5, Iss 1, Pp 18-22 (2017)
This paper aims to investigate the device parameters, including drain-induced barrier lowering (DIBL), subthreshold swing (SS), and saturation drive current, $I_{\rm d,{\mathrm{ sat}}} $ , of bulk-Si n-channel FinFET devices (bulk n-FinFETs). The imp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d51dea5cecf1e80f3955636957a06ec0
https://doi.org/10.1109/jeds.2016.2626464
https://doi.org/10.1109/jeds.2016.2626464
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.