Zobrazeno 1 - 10
of 92
pro vyhledávání: '"light-induced degradation (LID)"'
Publikováno v:
Energies, Vol 15, Iss 20, p 7764 (2022)
In order to study the effect of device structures and silicon wafer positions on light-induced degradation (LID) and regeneration, five groups of industrial PERC and Al-BSF solar cells were fabricated by using silicon wafers from different positions
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e3c19f3a596a4e9aa8ec7766f43f6c56
In-Situ LID and Regeneration of Al-BSF Solar Cells from Different Positions of a B-Doped Cz-Si Ingot
Autor:
Siqi Ding, Chen Yang, Shuai Yuan, Bin Ai, Cheng Qin, Zhengke Li, Yecheng Zhou, Xiaopu Sun, Jianghai Yang, Quan Liu, Xueqin Liang
Publikováno v:
Energies, Vol 15, Iss 15, p 5591 (2022)
In this paper, five groups of industrial aluminium back-surface-field (Al-BSF) solar cells were made from silicon wafers from different locations of a B-doped Czochralski silicon ingot. Then, we performed the first LID (45 °C, 1 sun, 12 h), regenera
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52c338a678f74e009db335a9a639f1e1
Autor:
Bratek, Dominik
One of the major problems for doped silicon used for solar cells is the effect called light induced degradation, since it can reduce the absolute effciency by up to 2 %. Despite being known for over four decades the actual defect structure neither fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::107f83d305fb71a9050f583925e1ec3b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rebecca Saive
Publikováno v:
IEEE journal of photovoltaics, 9(6):8788619, 1477-1484. IEEE
S-shaped current–voltage ( I – V ) characteristics are a frequently occurring hurdle in the development of new solar cell material combinations and device architectures. Their presence points to the existence of a charge transport bottleneck that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7d33e67a47ce96478e30a0bff9f75c3c
http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85075636093&partnerID=8YFLogxK
http://www.scopus.com/inward/record.url?scp=85075636093&partnerID=8YFLogxK
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.