Zobrazeno 1 - 10
of 289
pro vyhledávání: '"lattice-matched"'
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 645-650 (2024)
In this manuscript, we have investigated the impact of the scaling of the gate-source length (LGS) and gate length (LG) on the on-state breakdown voltage (BVon) of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having fi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fe7e899f8df24168be9a6cf23a251629
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 525-533 (2024)
In this manuscript, we have investigated the impact of the scaling of the gate-source length (LGS) and gate length (LG) on the output characterises and gate-transconductance (Gm) linearity of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c34221d098044f9b9824c3b217190e5a
Autor:
Yatexu Patel, Pouya Valizadeh
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 338-344 (2024)
The low frequency drain noise-current characteristics of metallic-face InAlN/AlN/GaN heterostructure field effect transistors (HFETs) having fin structures only under the gate, while maintaining a planar structure in the access regions, are compared
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3856d928e0984a0bb473abe30dce2a50
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Niraj Man Shrestha, Yiming Li, Chao-Hsuan Chen, Indraneel Sanyal, Jenn-Hawn Tarng, Jen-Inn Chyi, Seiji Samukawa
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 873-878 (2020)
A novel lattice matched double barrier Al0.72In0.16Ga0.12N/Al0.18In0.04Ga0.78N/GaN normally-off high electron mobility transistor (HEMT) is designed and simulated by solving a set of thermodynamic transport equations. Using the experimentally calibra
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/69335b4a197e43bb8ff456f049acdc4d
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.