Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"laser interference photolithography method"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 63-67 (2018)
In this paper, high performance quadruple gate-embedded T structured GaN-based metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors (MOSHEMTs) were fabricated using laser interference photolithography method and photoelectrochemical oxidation
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cac786ae06b043f3afee249707b76ce3
Autor:
Ching-Ting Lee, Hung-Yin Juo
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 183-188 (2018)
In this paper, the multiple-submicron channel array gate-recessed AlGaN/GaN fin-metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors (fin-MOSHEMTs) were fabricated using the photoelectrochemical oxidation method, the photoelectrochemical etch
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eb71c7a44ed948568a332fae6f5b31af
Autor:
Hung-Yin Juo, Ching-Ting Lee
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 6, Pp 183-188 (2018)
In this paper, the multiple-submicron channel array gate-recessed AlGaN/GaN fin-metal-oxide-semiconductor high-electron mobility transistors (fin-MOSHEMTs) were fabricated using the photoelectrochemical oxidation method, the photoelectrochemical etch
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::9e62c7005f3ee2152ec180c0a1221222
https://ieeexplore.ieee.org/document/8239583/
https://ieeexplore.ieee.org/document/8239583/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.