Zobrazeno 1 - 10
of 355
pro vyhledávání: '"large‐area synthesis"'
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 7, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Ferroelectric semiconductor α‐In2Se3 has gained significant attention due to its favorable physical characteristics, including an appropriate bandgap (≈1.4 eV) for semiconductor devices, intercorrelated out‐of‐plane and in‐plane p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/af2c4b07f95347ac8840826e7fc39d1a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gabriele Pippia, Anastasia Rousaki, Matteo Barbone, Jonas Billet, Rosaria Brescia, Anatolii Polovitsyn, Beatriz Martín-García, Mirko Prato, Francesco De Boni, Marko M. Petrić, Amine Ben Mhenni, Isabel Van Driessche, Peter Vandenabeele, Kai Müller, Iwan Moreels
Publikováno v:
ACS APPLIED NANO MATERIALS
Transition-metal dichalcogenide (TMD) nano-sheets have become an intensively investigated topic in the field of 2D nanomaterials, especially due to the direct semiconductor nature, and the broken inversion symmetry in the odd-layer number, of some of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.