Zobrazeno 1 - 10
of 464
pro vyhledávání: '"kink effect"'
Kink effect on the lattice properties of one-dimensional carbyne nanocrystals under high temperature
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 65, Iss , Pp 107957- (2024)
Carbyne nanocrystal (CN), as a kind of one-dimensional (1D) sp-hybridized carbon allotrope, has attracted much attention due to its excellent optical and transport properties. However, the lattice properties of 1D CNs under high temperature remain un
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9f1422fa1d3e4f9db32f749d02f66bd0
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 941-947 (2024)
The kink effect of gate-all-around (GAA) MOSFET has been experimentally validated by our GAA devices fabricated on a void embedded silicon-on-insulator (VESOI) substrate. In this VESOI GAA device, a consistent and favorable decrease in subthreshold s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ade47bb3d02c4bd2b94e019a0e3a42b1
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 201-210 (2024)
In this work, for the first time, a machine learning behavioral modeling methodology based on gate recurrent unit (GRU) is developed and used to model and then analyze the kink effects (KEs) in the output reflection coefficient $(S_{22})$ and the sho
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c0ed1c01d72b468fb27c1aa3558028dc
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 14, Iss 20, p 9371 (2024)
FinFET transistors with fin channel lengths of 160 nm and 2000 nm and a planar MOSFET transistor with channel lengths of 180 nm and 90 nm are presented with characteristic curves at various Gate biases. A finalized algorithm with kink effects was eff
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/27f4b24f12d848efb907116e4e417231
Autor:
Kyeongjun Kim, Seonghearn Lee
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 354-358 (2023)
The origin of a greater decrease in kink drain voltage $V_{kink}$ in floating body PD-SOI MOSFETs with gate lengths shorter than $0.35 ~\mu m$ is newly revealed. The $V_{kink}$ formula as a function of the internal body voltage and $I_{DS}$ is derive
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/40d021386a224f9796e37a026a18f419
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 294-302 (2023)
In this paper, kink effect observed in the output characteristics of the AlInN/GaN-on-Si high electron mobility transistor (HEMT) after subjecting the Si-substrate to positive/negative bias stress has been studied. The charge distribution in the diff
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c19c78361dc74771b4ce412633caa0fc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hsin-Chia Yang, Sung-Ching Chi
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 13, Iss 22, p 12379 (2023)
Current–voltage characteristic curves of NFinFET are presented and fitted with modified current–voltage (I-V) formulas, where the modified term in the triode region is demonstrated to be indispensable. In the as-known I-V formula, important param
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ad91f0295fb74339888141558ecda02a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.