Zobrazeno 1 - 10
of 81
pro vyhledávání: '"kerfless"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Twan Bearda, Ivan Gordon, Valerie Depauw, Jinyoun Cho, Kris Van Nieuwenhuysen, Julius Röth, Jozef Szlufcik, Hariharsudan Sivaramakrishnan Radhakrishnan, Jef Poortmans
Utilisation of expensive silicon (Si) material in crystalline Si modules has come down to 4 g Si per watt-peak in 2018, mainly as a result of reduction in wafer thickness and kerf losses as well as increase in module efficiencies. With continued prog
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d00a8762b061a5045c796578aded7402
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/658944
https://lirias.kuleuven.be/handle/123456789/658944
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jessica Scharf, Adam Lorenz, Jörg Müller, Ralf Jonczyk, Larissa Neibergall, Kai Petter, Daniel Jeong, Kati Hübener, Jasmin Hofstetter, Ali Ersen, Klaus Duncker
Publikováno v:
Energy Procedia. 92:822-827
Industry-leading multi-crystalline PERC processing has been applied to kerfless wafers made directly from molten silicon using Direct Wafer™ technology, avoiding the need for ingot production and sawing of bricks into wafers, thus providing signifi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::eca4dd60d24b40477df9c64c7491c364
https://doi.org/10.1016/j.egypro.2016.07.077
https://doi.org/10.1016/j.egypro.2016.07.077
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 432:139-145
Porous silicon and epitaxial thickening is a lift-off approach for silicon foil fabrication to avoid kerf losses and produce foils with thicknesses less than 50 µm. The crystal quality of the epitaxial silicon film strongly depends on the porous sil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::009ac95f23e8cdbb24bf9b17a5317480
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.09.025
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2015.09.025
Publikováno v:
Energy Procedia. 77:613-618
Reduction of solar cell fabrication costs is still of importance and can be achieved by going towards thinner silicon wafers. The aim is to achieve thicknesses in the range of 100 mu m and below while avoiding further kerf loss. The approach using po
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::34e7d007179356b08588d90711c8a60a
https://doi.org/10.1016/j.egypro.2015.07.088
https://doi.org/10.1016/j.egypro.2015.07.088