Zobrazeno 1 - 10
of 41
pro vyhledávání: '"junction FET"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:4658-4661
Summarization: In this brief, extraction methods are proposed for determining the essential parameters of double gate junction field-effect transistors (FETs). First, a novel method for determining free carrier effective mobility, similar to a recent
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c7bc652ebba5f8d9128b5ede95bfcd7f
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3025841
https://doi.org/10.1109/ted.2020.3025841
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 8, Iss 10, p 797 (2018)
The electrical characteristics and operation mechanism of a molybdenum disulfide/black phosphorus (MoS2/BP) heterojunction device are investigated herein. Even though this device showed a high on-off ratio of over 1 × 107, with a lower subthreshold
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2ab9c2da667c4ab7be27027fb17c5a74
Publikováno v:
Materials Science Forum. 963:683-687
Summarization: High temperatures and other harsh environments are domains of predilection for Junction FETs, particularly when wide band-gap semiconductors such as SiC or GaN are used. The present work describes the new compact model of double-gate (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::61166bad44ca1342ee88ffce13ef05e6
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.683
https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/msf.963.683
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials
Nanomaterials, Vol 8, Iss 10, p 797 (2018)
Volume 8
Issue 10
Nanomaterials, Vol 8, Iss 10, p 797 (2018)
Volume 8
Issue 10
The electrical characteristics and operation mechanism of a molybdenum disulfide/black phosphorus (MoS2/BP) heterojunction device are investigated herein. Even though this device showed a high on-off ratio of over 1 ×
107, with a lower subt
107, with a lower subt
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::75dcec6c271ba72b203a3d82dd66325f
http://europepmc.org/articles/PMC6215131
http://europepmc.org/articles/PMC6215131
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Petrović, Ivan
Početak rada daje kratki osvrt na to što su tranzistori općenito i način na koji se dijele. Ta podjela je na bipolarne i unipolarne, ali kako je završni rad temeljen na unipolarnim tranzistorima, opisan je način rada pojedinog tipa unipolarnih
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3912::85bd65d78ca2a3dc119f14b044ef29b0
https://repozitorij.etfos.hr/islandora/object/etfos:626/datastream/PDF
https://repozitorij.etfos.hr/islandora/object/etfos:626/datastream/PDF
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.