Zobrazeno 1 - 10
of 363
pro vyhledávání: '"ion beam sputter deposition (IBSD)"'
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 15 September 2018 498:17-24
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Photoluminescence characterization of β-FeSi 2 prepared by ion beam sputter deposition (IBSD) method
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2007 515(22):8149-8153
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 498:17-24
SnO x films were fabricated on soda-lime glass and sapphire substrates by reactive ion beam sputter deposition (IBSD). A detailed growth series on c -plane sapphire was prepared using heater temperatures from room temperature to 600 ° C with differe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f98c64a91089f4e3cb187a52544bd62c
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.05.009
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.05.009
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2001 401(1):73-76
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hiroyuki Yamamoto, K. Shimura, K. Hojou, Kenji Yamaguchi, A. Zhuravlev, Takayuki Terai, Shin-ichi Shamoto
Publikováno v:
Thin Solid Films. 515:8149-8153
Photoluminescence (PL) measurement technique was found to be effective in revealing the unique characteristics of β-FeSi 2 film formation on Si substrates by means of ion beam sputter deposition (IBSD) method. A strong photoluminescence peak at arou
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::986000347b3e77ca9200008231451330
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.027
https://doi.org/10.1016/j.tsf.2007.02.027
Publikováno v:
physica status solidi (a). 215:1700623
SnO2 thin films were grown on (0001) (c-plane), (01 1¯2) (r-plane), (112¯0) (a-plane) and (101¯0) (m-plane) sapphire substrates using ion beam sputter deposition (IBSD) of a pure metallic Sn target at a constant gas mixture of 2.5 sccm argon and 1
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbe424de74baebbfdfd406916ab61480
https://doi.org/10.1002/pssa.201700623
https://doi.org/10.1002/pssa.201700623
Publikováno v:
Thin Solid Films. 401:73-76
‘Environmentally friendly’ semiconductor β-FeSi 2 thin films have been prepared by the ion beam sputter deposition (IBSD) method on Si(100) substrate. The difference in crystallinity of the FeSi 2 obtained has been investigated using Fe and Fe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0c0fdaf6dd6f03cba63bd7f4086c306b
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(01)01485-7
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(01)01485-7