Zobrazeno 1 - 10
of 1 035
pro vyhledávání: '"ion beam etching"'
Publikováno v:
Физико-химические аспекты изучения кластеров, наноструктур и наноматериалов, Iss 15, Pp 629-636 (2023)
This work is devoted to the technological features of creating an array of pyroelectric nanoparticles placed in the pores of a silicon oxide membrane, ensuring their thermal insulation both from each other and from the supporting substrate. Mechanism
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/93a4e5eb7d0e4ecb8eb35481d9c31426
Autor:
Mototaka Ito1 Mototaka_Ito@trc.toray.co.jp, Jun Kato2
Publikováno v:
Electronic Device Failure Analysis. Feb2016, Vol. 18 Issue 1, p14-20. 6p.
Autor:
Dirk Jonker, Erwin J. W. Berenschot, Niels R. Tas, Roald M. Tiggelaar, Arie van Houselt, Han J. G. E. Gardeniers
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 17, Iss 1, Pp 1-16 (2022)
Abstract Convex cylindrical silicon nanostructures, also referred to as silicon nanocones, find their value in many applications ranging from photovoltaics to nanofluidics, nanophotonics, and nanoelectronic applications. To fabricate silicon nanocone
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e2a2517c92ce4d5cb44be13512cf1a59
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 11, Iss 21, Pp 4649-4657 (2022)
Scanned reactive-ion-beam etching method was proposed to transfer two-dimensional mask patterns into quartz substrate, which would produce a larger-size and polarization-independent two-dimensional grating. This method was realized by moving grating
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3c8075407cac4227a4634c3905c6c330
Autor:
Roberto Russo, André Chatel, Nergiz Şahin Solmaz, Reza Farsi, Hernán Furci, Juergen Brugger, Giovanni Boero
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 19, Iss , Pp 100203- (2023)
Superconducting resonators are widely used in fields spanning from quantum computing to electron spin resonance (ESR) spectroscopy. With the goal of realizing superconducting resonators, a broad variety and combination of superconducting materials, s
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b2d3efdf34da420289d90ca391c0f9db
Autor:
Xinkun Zhang, Haoran Qie, Yu Zhou, Yaozong Zhong, Jianxun Liu, Quan Dai, Qian Li, Xiaoning Zhan, Xiaolu Guo, Xin Chen, Qian Sun, Hui Yang
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 9, p 096501 (2024)
The degradation of an n ^++ GaN regrown ohmic contact in a MIS-HEMT device induced by ion beam etching (IBE) damages and relevant mechanisms have been studied. Abnormal I–V behaviors of the etched n ^++ GaN were observed by the transfer length meth
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b33ac63382fd49e9b8b87a3deb3ff8ad
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.