Výsledky vyhledávání - "inversion domain boundarie"

Impact of Inversion Domain Boundaries on the Electronic Properties of 3C-SiC

Autor: Emilio Scalise, Massimo Zimbone, Anna Marzegalli

Inversion domain boundaries are extended defects affecting cubic silicon carbide (3C-SiC) layers grown on the on-axis (001) Si wafers. Their impact on the device performance is still debated and a clear connection to their electronic properties at th

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::22cd41a1bbc5c85927b89b85bdb68d67
http://hdl.handle.net/10281/386950

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Growth of niobium nitride/aluminium nitride trilayers and multilayers.

Autor: Lloyd, S. J., Tricker, D. M., Barber, Z. H., Blamire, M. G.

Publikováno v: Philosophical Magazine A. Oct2001, Vol. 81 Issue 10, p2317-2335. 19p. 19 Black and White Photographs, 6 Diagrams, 7 Graphs.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

The {1010} inversion domains in GaN/sapphire layers: an electron microscopy analysis of the atomic structure of the boundaries.

Autor: Potin, V., Nouet, G., Ruterana, P.

Publikováno v: Philosophical Magazine A. Dec99, Vol. 79 Issue 12, p2899-2920. 22p. 37 Diagrams, 3 Charts.

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání