Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"interfacial trap density"'
Publikováno v:
Materials, Vol 8, Iss 10, Pp 7084-7093 (2015)
Single-crystal atomic-layer-deposited (ALD) Y\(_{\mathrm{2}}\)O\(_{\mathrm{3}}\) films 2 nm thick were epitaxially grown on molecular beam epitaxy (MBE) GaAs(001)-4 \(\times\) 6 and GaAs(111)A-2 \(\times\) 2 reconstructed surfaces. The in-plane epita
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c0e098cd8fe34d9aa55e80122527dcbb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics
Volume 9
Issue 12
Electronics, Vol 9, Iss 2039, p 2039 (2020)
Volume 9
Issue 12
Electronics, Vol 9, Iss 2039, p 2039 (2020)
The instability of transistor characteristics caused by charge trapping under positive bias temperature (PBT) stress in In0.7Ga0.3As metal oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with single-layer Al2O3 and bi-layer Al2O3/HfO2 gate sta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::fcaf275df935e96430c1d51808cb1171
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Materials
Volume 8
Issue 10
Pages 7084-7093
Materials, Vol 8, Iss 10, Pp 7084-7093 (2015)
Materials; Volume 8; Issue 10; Pages: 7084-7093
Volume 8
Issue 10
Pages 7084-7093
Materials, Vol 8, Iss 10, Pp 7084-7093 (2015)
Materials; Volume 8; Issue 10; Pages: 7084-7093
Single-crystal atomic-layer-deposited (ALD) Y\(_{\mathrm{2}}\)O\(_{\mathrm{3}}\) films 2 nm thick were epitaxially grown on molecular beam epitaxy (MBE) GaAs(001)-4 \(\times\) 6 and GaAs(111)A-2 \(\times\) 2 reconstructed surfaces. The in-plane epita
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6f3da958c27204e770cbf9c5079f7d1b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.