Zobrazeno 1 - 10
of 79
pro vyhledávání: '"interface width"'
Autor:
Sjoerd Stendahl, Naureen Ghafoor, Anton Zubayer, Marcus Lorentzon, Alexei Vorobiev, Jens Birch, Fredrik Eriksson
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 243, Iss , Pp 113061- (2024)
State-of-the-art Ni/Ti supermirror neutron optics have limited reflected intensity and a restricted neutron energy range due to the interface width. Incorporating low-neutron-absorbing 11B4C enhances reflectivity and allows for thinner layers to be d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d8f6812d830745a79a4252e833192852
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 38:055009
We present a high-resolution electron tomography study of buried ultra-thin layers and their interfaces from the active region of a (Ga,In)As/(Al,In)As quantum cascade laser (QCL) test structure. Using a high-angle annular dark-field scanning transmi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3fa19ac3d5981601a1aad5a1c08e8f9f
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acc34f
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acc34f
Autor:
Anke Böttcher
In 2005, the hybrid model was published by Prof. H.-D. Alber and Prof. P. Zhu as an alternative to the Allen-Cahn model for the description of phase field transformations. With low interfacial energy, it is more efficient, since the resolution of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c83491d3b357ba60ea8f4ddf8d9588bd
https://zenodo.org/record/5608463
https://zenodo.org/record/5608463
We present an electron tomography method for the comprehensive characterization of buried III-V semiconductor interfaces that is based on chemical-sensitive high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscopy. For this purpose, an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::59d24bca4e077e477aa678ad8e0f000e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.