Zobrazeno 1 - 10
of 3 861
pro vyhledávání: '"interface states"'
Publikováno v:
Archives of Metallurgy and Materials, Vol vol. 69, Iss No 2, Pp 459-463 (2024)
Semiconducting GaN can realize high performance electronic and power devices owing to its high electron mobility and thermal conductivity where good metal-semiconductor contact is prerequisite. In this work, using thermal atomic layer deposition (ALD
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c93f3d1f1ab74fd2a1f695e3246c190d
Autor:
Ghazialsharif Mohammad, Dong Junliang, Bongiovanni Domenico, Vorobiov Anton, Wang Ziteng, Chen Zhigang, Kip Detlef, Morandotti Roberto
Publikováno v:
Nanophotonics, Vol 13, Iss 10, Pp 1929-1937 (2024)
Innovative terahertz waveguides are in high demand to serve as a versatile platform for transporting and manipulating terahertz signals for the full deployment of future six-generation (6G) communication systems. Metal-wire waveguides have emerged as
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/498399b2024748e2be168edab4f5ca4a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Parasuraman R, Rathnakannan K
Publikováno v:
Memories - Materials, Devices, Circuits and Systems, Vol 8, Iss , Pp 100114- (2024)
This work investigates and reports on the fabrication of a ZnO nanosheets/p-Si heterojunction energy harvester. The proposed nanostructure device exhibits two key functionalities: energy harvesting and memristive characteristics. This allows the devi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a28a4b9a00e94f699a21077f7602bc76
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Advanced Ceramics, Vol 12, Iss 5, Pp 972-983 (2023)
Highly stable ZnO varistor ceramics with steadily decreasing power loss have been put into applications in electrical and electronic systems for overvoltage protections, even with the absence of general understandings on their aging behaviors. In thi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a316594780e1441c9f5eebcbf4a30053
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 2 (2023)
Starting from a quantum statistical reasoning, it is demonstrated that entropy properties of silicon/silicon dioxide interface electron traps may have a strong influence on measured distributions of interface states, depending on measurement method u
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9d28c2b6e6f34064b2a76b6343446775
Autor:
Peter Ashbur, Huda A. W. El Mubarek
Publikováno v:
Journal of Telecommunications and Information Technology, Iss 2 (2023)
This paper reviews the behaviour of fluorine in silicon and silicon-germanium devices. Fluorine is shown to have many beneficial effects in polysilicon emitter bipolar transistors, including higher values of gain, lower emitter resistance, lower 1/f
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cfb0b2354949492f8495eaca6f76b13c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.