Zobrazeno 1 - 10
of 1 038
pro vyhledávání: '"interface state density"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Biaobiao Ding, Yichen Zhu, Run Li, Guangan Yang, Jie Wu, Li Zhu, Xiang Wan, Zhihao Yu, Chee Leong Tan, Yong Xu, Huabin Sun
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 282-287 (2023)
Donor-Acceptor (D-A) polymer field-effect transistors (pFETs) are at the cutting edge of organic electronics. However, some fundamental cognition of interface states remains unquantified, particularly at different dynamic scales. In this study, the i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c9aa6ccb1e6a4c27a7c028861ac1edbf
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 14, Iss 1, Pp 175-189 (2023)
The recently proposed high–low Kelvin probe force microscopy (KPFM) enables evaluation of the effects of semiconductor interface states with high spatial resolution using high and low AC bias frequencies compared with the cutoff frequency of the ca
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ff06d981d2f94ceab09ada6f23ffcd01
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 11, p 116503 (2024)
We examined the impact of post-deposition annealing (PDA) on SiO _2 /SiC structures formed by plasma nitridation of the SiC surface followed by sputter deposition of SiO _2 . The interface state density near the conduction band edge of SiC was reduce
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ba2d337526844a9eb667664034b216b2
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 2, p 192 (2024)
Oxygen post annealing is a promising method for improving the quality of the SiC metal oxide semiconductor (MOS) interface without the introduction of foreign atoms. In addition, a low oxygen partial pressure annealing atmosphere would prevent the ad
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c68e990a27724913a533fe7dcaf5c0b2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.