Zobrazeno 1 - 10
of 1 893
pro vyhledávání: '"interface state"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Libo Zhang, Li Ye, Weiwei Zhao, Chongji Huang, Xue Liu, Wenshuai Gao, Tao Li, Tai Min, Jinbo Yang, Mingliang Tian, Xuegang Chen
Publikováno v:
Materials, Vol 17, Iss 14, p 3471 (2024)
Time-dependent second-harmonic generation (TD-SHG) is an emerging sensitive and fast method to qualitatively evaluate the interface quality of the oxide/Si heterostructures, which is closely related to the interfacial electric field. Here, the TD-SHG
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3be87986c1b14bf484a533c1c2620bbe
Autor:
Shifeng Zhang, Anqi Hu, Qiaoli Liu, Li Xu, Xiansong Ren, Bo Wang, Yanling Ren, Wenyu Liu, Xingye Zhou, Shanshan Chen, Xia Guo
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 10, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract The free‐space optical communication is regarded as a promising technique for next generation networks. However, all the data are exposed in free space with high risk of being attacked or eavesdropping by unauthorized parties. Here, a bipo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a6ac4963de5746f6bfccbd50eeb6b3db
Autor:
Biaobiao Ding, Yichen Zhu, Run Li, Guangan Yang, Jie Wu, Li Zhu, Xiang Wan, Zhihao Yu, Chee Leong Tan, Yong Xu, Huabin Sun
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 282-287 (2023)
Donor-Acceptor (D-A) polymer field-effect transistors (pFETs) are at the cutting edge of organic electronics. However, some fundamental cognition of interface states remains unquantified, particularly at different dynamic scales. In this study, the i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c9aa6ccb1e6a4c27a7c028861ac1edbf
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 54692-54698 (2023)
In this study, we examine the effect of interface trap states on the electrical characteristics of single-gated feedback field-effect transistors (FBFETs) using a commercially available computer-aided design simulation package. Interface trap states
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a8706130dd8c47d88935013e9d5f6bb9
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 14, Iss 1, Pp 175-189 (2023)
The recently proposed high–low Kelvin probe force microscopy (KPFM) enables evaluation of the effects of semiconductor interface states with high spatial resolution using high and low AC bias frequencies compared with the cutoff frequency of the ca
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ff06d981d2f94ceab09ada6f23ffcd01
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 2, p 192 (2024)
Oxygen post annealing is a promising method for improving the quality of the SiC metal oxide semiconductor (MOS) interface without the introduction of foreign atoms. In addition, a low oxygen partial pressure annealing atmosphere would prevent the ad
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c68e990a27724913a533fe7dcaf5c0b2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.