Zobrazeno 1 - 10
of 9 082
pro vyhledávání: '"interface recombination"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Electrically detected magnetic resonance (EDMR) and near-zero field magnetoresistance (NZFMR) are techniques that probe defect states at dielectric interfaces critical for metal-oxide-semiconductor (MOS) electronic devices such as the Si/SiO$_2$ MOS
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.14933
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Niranjana, S.1 (AUTHOR), Kumar, Atul2 (AUTHOR) er.atul89@gmail.com, Kumar, S. Hari3 (AUTHOR), Ramkumar, G.4 (AUTHOR)
Publikováno v:
Optical & Quantum Electronics. Oct2024, Vol. 56 Issue 10, p1-15. 15p.
Autor:
Weiss, Thomas Paul, Minguez-Bacho, Ignacio, Zuccalà, Elena, Melchiorre, Michele, Valle, Nathalie, Adib, Brahime El, Yokosawa, Tadahiro, Spiecker, Erdmann, Bachmann, Julien, Dale, Phillip J., Siebentritt, Susanne
Currently, Sb$_2$Se$_3$ thin films receive considerable research interest as a solar cell absorber material. When completed into a device stack, the major bottleneck for further device improvement is the open circuit voltage, which is the focus of th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.13138
Autor:
Wang, T., Ehre, F., Weiss, T. P., Veith-Wolf, B., Titova, V., Valle, N., Melchiorre, M., Schmidt, J., Siebentritt, S.
Metastable defects can decisively influence the diode factor and thus the efficiency of a solar cell. The diode factor is also influenced by the doping level and the recombination mechanisms in the solar cell. Here we quantify how the various paramet
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2204.06483
Autor:
Auzelle, Thomas, Sinito, Chiara, Lähnemann, Jonas, Gao, Guanhui, Flissikowski, Timur, Trampert, Achim, Fernández-Garrido, Sergio, Brandt, Oliver
Publikováno v:
Physical Review Applied, 17, 044030 (2022)
We explore and systematically compare the morphological, structural and optical properties of GaN/(Al,Ga)N multiple quantum wells (MQWs) grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE) on freestanding GaN$(0001)$ and GaN$(000\bar{1})$ substr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2111.12969