Zobrazeno 1 - 10 of 126 pro vyhledávání: '"integrated memory circuits"'
1
Periodical
Total Recall.
Autor: FAHEY, JONATHAN
Publikováno v: Forbes. 4/30/2001, Vol. 167 Issue 10, p124-128. 3p.
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
A 20‐Gb/s 4‐tap time‐domain DFE with pulse width modulation for a DQ‐DQS matched parallel receiver
Autor: Daehoon Na, Woo‐Seok Choi, Seon‐Kyoo Lee
Publikováno v: Electronics Letters, Vol 60, Iss 14, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract A 4‐tap time‐domain decision feedback equalizer (TD‐DFE) is presented to implement a multi‐tap DFE in a matched DQ (data)‐DQS (strobe) tree architecture. Traditionally, matched architecture holds an advantage in terms of power nois
Externí odkaz: https://doaj.org/article/bbf309c105bc492f92a37c668c533fdf
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
A reconfigurable in‐memory‐computation architecture with in‐situ update and shift capability
Autor: Yihe Liu, Junjie Wang, Shuang Liu, Xiaoyang Zhang, Mingyuan Sun, Tupei Chen, Yang Liu
Publikováno v: Electronics Letters, Vol 60, Iss 8, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract This work proposes a storage element (SE) design for in‐memory computing (IMC). Using the proposed SE design, an IMC array has been constructed to enable in‐situ updates of stored weights. Compared with some existing related works which
Externí odkaz: https://doaj.org/article/2ace69fce89d4e09870a6000fc6f1bb5
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Low-Power Multimodal Switch for Leakage Reduction and Stability Improvement in SRAM Cell.
Autor: Kavitha, M.1 kavithaengr@gmail.com, Govindaraj, T.2
Publikováno v: Arabian Journal for Science & Engineering (Springer Science & Business Media B.V. ). Aug2016, Vol. 41 Issue 8, p2945-2955. 11p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
FELINE MICROCHIP: AN EXERCISE IN THE SOCIOLOGY OF DOCUMENTALITY.
Autor: Martignani, Luca1
Publikováno v: Monist. Apr2014, Vol. 97 Issue 2, p236-245. 10p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Statistical Deviations From the Theoretical Only-SBU Model to Estimate MCU Rates in SRAMs.
Autor: Franco, Francisco J.1, Clemente, Juan Antonio2, Baylac, Maud3, Rey, Solenne3, Villa, Francesca3, Mecha, Hortensia2, Agapito, Juan A.1, Puchner, Helmut4, Hubert, Guillaume5, Velazco, Raoul6
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science. Aug2017, Vol. 64 Issue 8 Part 1, p2152-2160. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Analysis of SEL on Commercial SRAM Memories and Mixed-Field Characterization of a Latchup Detection Circuit for LEO Space Applications.
Autor: Secondo, R.1, Alia, R. Garcia1, Peronnard, P.1, Brugger, M.1, Masi, A.1, Danzeca, S.1, Merlenghi, A.1, Vaille, J. R.2, Dusseau, L.3
Publikováno v: IEEE Transactions on Nuclear Science. Aug2017, Vol. 64 Issue 8 Part 1, p2107-2114. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
Muscle and memory.
Publikováno v: Economist. 5/27/2023, Vol. 447 Issue 9348, p55-55. 1/2p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Characterization of a novel 10T SRAM cell with improved data stability and delay performance for 20-nm tri-gated FinFET technology.
Autor: Limachia, Mitesh Jethabhai1,2,3 miteshjlimachia@rediffmail.com, Thakker, Rajesh A.1,2,3 rathakker2008@gmail.com, Kothari, Nikhil J.1,2,3 njkothari@gmail.com
Publikováno v: Circuit World. 2018, Vol. 44 Issue 4, p187-194. 8p.
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Investigation of BTI characteristics and its behavior on 10 nm SRAM with high-k/metal gate FinFET technology having multi-VT gate stack.
Autor: Jin, Minjung1 minjung.jin@samsung.com, Kim, Kangjung1, Kim, Yoohwan1, Shim, Hyewon1, Kim, Jinju1, Kim, Gunrae1, Pae, Sangwoo1
Publikováno v: Microelectronics Reliability. Feb2018, Vol. 81, p201-209. 9p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje