Zobrazeno 1 - 10
of 39
pro vyhledávání: '"inductive source degeneration"'
Publikováno v:
Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol 24, Iss 1, Pp 57-64 (2024)
This study proposes a folded cascode CMOS low noise amplifier (LNA) with transformer feedback, implemented using a 0.13-μm CMOS process for wireless local area network front-end module applications. Compared to a conventional cascode inductive sourc
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/03e08ea24e20490f857d22b720032db6
Publikováno v:
Journal of Electromagnetic Engineering and Science, Vol 22, Iss 6, Pp 678-685 (2022)
In this paper, using the 0.2 μm ETRI GaN HEMT process, we developed a C-band GaN dual-feedback low-noise amplifier MMIC for an RF receiver module that requires high-input power robustness. By applying a feedback microstrip line at the source of the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6a8b47c1faaa430eb409d0e415fe061a
Publikováno v:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Vol 15, Iss 4, Pp 444-452 (2019)
Design of Global Positioning System (GPS) receiver with a low noise amplifier (LNA) in the front end remains a major design requirement for the success of modern day navigation and communication system. Any LNA is expected to meet the requirements li
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/66b1a9093e53449b97c11ef8a71b2926
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Zafar, Salahuddin
Cataloged from PDF version of article. Thesis (Ph.D.): Bilkent University, Department of Electrical and Electronics Engineering, İhsan Doğramacı Bilkent University, 2022. Includes bibliographical references (leaves 74-93). Gallium nitride (GaN) hi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3533::21be9903b91674c6b11a8171d1e84d65
https://hdl.handle.net/11693/111892
https://hdl.handle.net/11693/111892
Autor:
Salahuddin Zafar, Erdem Aras, Busra Cankaya Akoglu, Gizem Tendurus, Muhammad Imran Nawaz, Ahsanullah Kashif, Ekmel Ozbay
Publikováno v:
International Journal of RF and Microwave Computer-Aided Engineering
GaAs and SiGe technologies take an edge over GaN-based devices in terms of better noise figure (NF). In this article, we present HEMT topologies and design techniques to achieve a sub-1.2 dB NF for a GaN-based X-band low-noise amplifier (LNA). This N
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::09ee31444448af2cc261a8ec981a022f
https://hdl.handle.net/11693/111613
https://hdl.handle.net/11693/111613
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.