Zobrazeno 1 - 10
of 2 580
pro vyhledávání: '"indirect-gap semiconductor"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
We study the spin dependent tunneling of electrons through a zinc-blende semiconductor with the indirect X (or D) minimum serving as the tunneling barrier. The basic difference between tunneling through the G vs. the X barrier is the linear-k spin-or
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0505243
Autor:
Abramkin, D. S.1,2 (AUTHOR) demid@isp.nsc.ru, Shamirzaev, T. S.1,2,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. May2019, Vol. 53 Issue 5, p703-710. 8p.
Autor:
Butterfield, Andrew J, Szymanski, John
Publikováno v:
A Dictionary of Electronics and Electrical Engineering, 5 ed., 2018.
Autor:
D. S. Abramkin, T. S. Shamirzaev
Publikováno v:
Semiconductors. 53:703-710
Type-I indirect-gap heterostructures are convenient objects for studying the spin dynamics of localized excitons, which are difficult to investigate in heterostructures of other types. It is shown that structures with such an energy spectrum can be f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.