Zobrazeno 1 - 10
of 84
pro vyhledávání: '"incomplete ionization"'
Autor:
G.P. Gaidar
Publikováno v:
Physics Open, Vol 17, Iss , Pp 100171- (2023)
Features of longitudinal and transverse tensoresistances and the tenso-Hall effect in low-resistance n-Si crystals doped with phosphorus, antimony, and arsenic were studied. The impurity-specific mechanisms which lead to changes in the number of char
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a51c890c6fd8478ba4c193b179b4e90c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Microelectronics Journal November 2022 129
Autor:
Drozdov, D.G. a, b, Prokopenko, N.N. c, d, ∗, Savchenko, E.M. b, Dukanov, P.A. a, Rodin, V.G. a, b, Grushin, A.I. a
Publikováno v:
In Microelectronics Journal November 2020 105
Autor:
Arnout Beckers, Farzan Jazaeri, Alexander Grill, Subramanian Narasimhamoorthy, Bertrand Parvais, Christian Enz
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 780-788 (2020)
This article presents a physical model of the threshold voltage in MOSFETs valid down to 4.2 K. Interface traps close to the band edge modify the saturating temperature behavior of the threshold voltage observed in cryogenic measurements. Dopant free
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/7ef2b0913ace482097a3cfb302c12d02
Publikováno v:
In Diamond & Related Materials September 2017 78:73-82
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.