Zobrazeno 1 - 10
of 1 422
pro vyhledávání: '"in-gap states"'
Publikováno v:
Next Materials, Vol 2, Iss , Pp 100067- (2024)
First-principles calculations with DFT+U method were conducted on the local structures and the in-gap electronic states of n-type SrTiO3, whose electron doping was realized by substitution of Sr by La or Ti by Nb. For both La-doped and Nb-doped SrTiO
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72b72ef1e83c43deb29440ac5e247aba
Publikováno v:
Materials Research Letters, Vol 11, Iss 4, Pp 266-273 (2023)
ABSTRACTThe two-dimensional (2D) materials-based tunneling field-effect transistors (TFETs) suffer from low driving currents. In contrast to the prevailing wisdom that defects are detrimental, we proposed to harness the ubiquitous defects in MoS2 to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ac3cf084c583460c87fa2dc53843bbd8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 7, p 612 (2024)
Two-dimensional (2D) materials have received significant attention for their potential use in next-generation electronics, particularly in nonvolatile memory and neuromorphic computing. This is due to their simple metal–insulator–metal (MIM) sand
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1a91569ee94147cc8704a339f3212cef
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Thomas Galvani, Ali K Hamze, Laura Caputo, Onurcan Kaya, Simon M-M Dubois, Luigi Colombo, Viet-Hung Nguyen, Yongwoo Shin, Hyeon-Jin Shin, Jean-Christophe Charlier, Stephan Roche
Publikováno v:
JPhys Materials, Vol 7, Iss 3, p 035003 (2024)
We report a theoretical study of dielectric properties of models of amorphous Boron Nitride, using interatomic potentials generated by machine learning. We first perform first-principles simulations on small (about 100 atoms in the periodic cell) sam
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4cdfa261755148208846d69f12cb0f5a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Honghui Liu, Zhiwen Liang, Fengge Wang, Yanyan Xu, Xien Yang, Yisheng Liang, Xin Li, Lizhang Lin, Zhisheng Wu, Yang Liu, Baijun Zhang
Publikováno v:
Frontiers in Physics, Vol 10 (2022)
In this paper, the lateral Schottky barrier diodes (SBDs) with small capacitance and low turn-on voltage (Von) were fabricated on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure. The capacitances of lateral n-GaN SBD and lateral AlGaN/GaN SBD are 1.35 pF/mm and
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1bb6e894a61d4196bafb1d8e13bb9eea
Autor:
Lian-Liang Sun, Jia Liu
Publikováno v:
Frontiers in Physics, Vol 10 (2022)
We theoretically study the Andreev reflection processes in T-shaped double quantum dots (TDQDs) in terms of the nonequilibrium Green’s function technique. It is considered that one of the TDQDs is coupled to the Majorana zero modes (MZMs) prepared
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/52ff9ada7df24a0bbccee22df5726694