Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"in situ laser annealing"'
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2002 197:831-838
Publikováno v:
Applied Surface Science. :831-838
Using a high dielectric material as substitute for SiOxNy in dielectric film capacitors of dynamic memories (DRAM) allows a significantly higher integration density and a reduction of the die size, even with planar capacitors. BaTiO3 is such a materi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c6449a2736649a39c6b5111e258e16ae
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(02)00457-9
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(02)00457-9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.