Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"in situ defect passivation"'
Autor:
Xiaomin Zhang, Jiahan Xu, Aomiao Zhi, Jian Wang, Yue Wang, Wenkai Zhu, Xingjie Han, Xuezeng Tian, Xuedong Bai, Baoquan Sun, Zhongming Wei, Jing Zhang, Kaiyou Wang
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 42, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Atomic chalcogen vacancy is the most commonly observed defect category in two dimensional (2D) transition‐metal dichalcogenides, which can be detrimental to the intrinsic properties and device performance. Here a low‐defect density, high
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c5ad0948f16f4c639a88dfbbffffd4a8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.