Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"in situ cap layer"'
Autor:
Ki-Sik Im, Siva Pratap Reddy Mallem, Jin-Seok Choi, Young-Min Hwang, Jae-Seung Roh, Sung-Jin An, Jae-Hoon Lee
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 12, Iss 4, p 643 (2022)
We fabricated and characterized AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs) with a nano-sized in situ cap layer (one is a silicon carbon nitride (SiCN) layer, and the other is a silicon nitride (SiN) layer) comparing to the conventional devi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bf5a99d37a354c29b64625679410418f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.