Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"impurity complexes"'
A study combining infrared (IR) absorption spectroscopy and first-principles theory is presented for a sulfur–oxygen complex in CdSe characterized by IR absorption lines located at 1094, 1107, and 1126 cm-1 (10 K). The properties of the center are
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A91967
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A91967/attachment/ATT-0/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A91967/attachment/ATT-0/
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
I.B. Sapaev
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 22, Iss 2, Pp 188-192 (2019)
The current-voltage characteristic of an injection photodiode of the In–n-CdS– p-Si–In structure, which can operate in a wide spectral range of electromagnetic radiation at room temperature, has been investigated. It is found that the current-v
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/50623fd5a9ae49329f84ce4de72f31f5
Autor:
Vladimir D. Krevchik, Aleksei V. Razumov, Mikhail B. Semenov, Saygid U. Uvaysov, Vladimir P. Kulagin, Paweł Komada, Saule Smailova, Aisha Mussabekova
Publikováno v:
Sensors, Vol 22, Iss 4, p 1300 (2022)
The effect of an external electric field and dissipative tunneling on the spectral intensity of recombination radiation in a quantum dot with an A+ + e impurity complex (a hole localized on a neutral acceptor interacting with an electron localized in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/13a882af855e4cfb950f04a6ef8eec84
Autor:
Vladimir D. Krevchik, Aleksei V. Razumov, Mikhail B. Semenov, Saygid U. Uvaysov, Vladimir P. Kulagin, Paweł Komada, Saule Smailova, Aisha Mussabekova
Publikováno v:
Sensors; Volume 22; Issue 4; Pages: 1300
The effect of an external electric field and dissipative tunneling on the spectral intensity of recombination radiation in a quantum dot with an A+ + e impurity complex (a hole localized on a neutral acceptor interacting with an electron localized in
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Doniyor Babajanov, Ibrohim Sapaev
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 22, Iss 2, Pp 188-192 (2019)
The current-voltage characteristic of an injection photodiode of the In–n-CdS– p-Si–In structure, which can operate in a wide spectral range of electromagnetic radiation at room temperature, has been investigated. It is found that the current-v
Temperature dependence of the spectral intensity of recombination radiation in a quasi-zero-dimensional structure, containing impurity complexes “A++e” (a hole localized on a neutral acceptor, interacting with an electron localized in the ground
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2ace26b7ebb8ed3442cf58145b81d002
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-202202091473
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-202202091473
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.