Zobrazeno 1 - 10
of 800
pro vyhledávání: '"image force"'
Publikováno v:
Alexandria Engineering Journal, Vol 72, Iss , Pp 169-180 (2023)
Tunneling FET (TFET) has been demonstrated as a favorable candidate to replace conventional MOSFETs in low-power applications. However, there are many challenges that should be overcome to efficiently operate the TFET. One of the most limiting factor
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/f025cac206c042df9eb3d562f8b621b7
Publikováno v:
Royal Society Open Science, Vol 9, Iss 6 (2022)
Explicit and tractable formulation of the internal stress field around edge dislocations is indispensable for considering the mechanics of fine crystalline solids, because the motion of edge dislocations in a slanted direction with respect to the fre
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b3b4e4ea981f401c8d2080908c3f8c38
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Latreche
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 22, Iss 4, Pp 397-403 (2019)
In order to determine the temperature dependence of the reverse transition voltage between thermionic emission and tunneling mechanisms, a numerical method has been applied for β-Ga2O3 Schottky barrier diodes. The main idea of this method is based o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4dbd3ec177bb4a9cb2edfe1a7ebda55a
Autor:
Davoudi Kamyar M., Aifantis Elias C.
Publikováno v:
Journal of the Mechanical Behavior of Materials, Vol 28, Iss 1, Pp 68-73 (2019)
In this paper, we consider a straight screw dis-location near a flat interface between two elastic media in the framework of strain gradient elasticity (as studied by Gutkin et. al. [1]) by now taking care of some incomplete calculations). Closed for
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e879db0d4c2b488f8b5a8361cd657322
Autor:
A. Latreche
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, Vol 22, Iss 1, Pp 19-25 (2019)
A new method to analyze reverse characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diode has been presented in this paper. The model incorporates both the current induced by the tunneling of carriers through the Schottky barrier and that induced by the therm
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c80d6ff201f84329bc569f97f64543eb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.