Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"hydrogenated silicon (Si:H)"'
Autor:
Ho Jun Kim, Hwanyeol Park
Publikováno v:
Coatings, Vol 11, Iss 1041, p 1041 (2021)
Coatings
Volume 11
Issue 9
Coatings
Volume 11
Issue 9
The rapid and uniform growth of hydrogenated silicon (Si:H) films is essential for the manufacturing of future semiconductor devices
therefore, Si:H films are mainly deposited using SiH4-based plasmas. An increase in the pressure of the mixture
therefore, Si:H films are mainly deposited using SiH4-based plasmas. An increase in the pressure of the mixture
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c776a2b93107f055dfb317b5f4de306d
https://www.mdpi.com/2079-6412/11/9/1041
https://www.mdpi.com/2079-6412/11/9/1041
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.