Zobrazeno 1 - 10
of 238
pro vyhledávání: '"hot-carrier reliability"'
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 1188-1193 (2021)
In this work, four kinds of lateral double-diffused MOS (LDMOS) devices with different split shallow trench isolation (STI) structures (Device A: LDMOS with traditional split-STI, Device B: LDMOS with slope-STI, Device C with step-STI and Device D wi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a7d3c702424e4ed88f01ea6201480c00
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67:2745-2751
This article presents a simultaneous impact of selective contact silicidation, silicide, and junction engineering on bulk FinFET’s electrostatic discharge (ESD) reliability, latch-up (LU) robustness, and hot carrier-induced (HCI) degradation. The i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4344b8608abeb5d3a24188fe2e73aaa3
https://doi.org/10.1109/ted.2020.2997757
https://doi.org/10.1109/ted.2020.2997757
Publikováno v:
Radiation Effects and Defects in Solids. 174:606-616
The authors perform gamma ray irradiation and hot carrier stress on RH H-Gate PD (partially depleted) SOI NMOSFETs as the experimental group and commercial strip-shaped gate PD SOI NMOSFETs...
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::566dab869399dff4bc9efc4c8c753400
https://doi.org/10.1080/10420150.2019.1623219
https://doi.org/10.1080/10420150.2019.1623219
A Study on Hot Carrier Reliability of Radiation Hardened H-gate PD SOI NMOSFET after Gamma Radiation
Publikováno v:
International Journal of Materials, Mechanics and Manufacturing. 7:100-104
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32413a5891c5329eb681e4a60eaae332
https://doi.org/10.18178/ijmmm.2019.7.2.439
https://doi.org/10.18178/ijmmm.2019.7.2.439
Publikováno v:
Micro & Nano Letters. 13:1096-1100
In this work, performance degradation of 65 nm N-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors (NMOSFETs) with enclosed gate and two-edged gate layouts under hot carrier stress and constant voltage stress is investigated. Compared with t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c06ed552117c392af9222610fab3c211
https://doi.org/10.1049/mnl.2017.0850
https://doi.org/10.1049/mnl.2017.0850
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jifa Hao
Publikováno v:
ECS Transactions. 77:85-93
This paper discusses three important issues in hot carrier (HC) reliability of LDMOSFET ((Laterally Diffused MOSFETs) in BCD technology. One of the main reliability issues encountered during development of the LDMOSFET is optimizing the trade-offs be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::68ad8e2503afcd0a28e167f561a32821
https://doi.org/10.1149/07702.0085ecst
https://doi.org/10.1149/07702.0085ecst