Zobrazeno 1 - 10
of 252
pro vyhledávání: '"hot-carrier injection (HCI)"'
Publikováno v:
IEEE Open Journal of Circuits and Systems, Vol 5, Pp 341-348 (2024)
Counterfeit electronic components are known to enter supply chains through recycling, with these already-aged components creating serious reliability risks, particularly for critical infrastructure systems. A number of recycled integrated circuit (IC
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/60c2c913c6fb44dc9253aba41c42289a
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 179-189 (2023)
The integration density of electronic systems is limited by the reliability of the integrated circuits. To guarantee the overall performance, the integrated circuit reliability must be modeled and analyzed at the early design stage. This paper review
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/76ff7c673f024195b26807e202ddedf7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 1, p 124 (2022)
Device guidelines for reducing power with punch-through current annealing in gate-all-around (GAA) FETs were investigated based on three-dimensional (3D) simulations. We studied and compared how different geometric dimensions and materials of GAA FET
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/da270a088b2e48669fe203fb9c69efda
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 4, Iss 4, Pp 174-178 (2016)
An anomalous threshold-voltage ( $V_{t} $ ) spread of the program-inhibited cell is investigated for the first time in NAND flash memory. The program disturb characteristics are studied by applying the program-inhibited stress on the ${N}$ th cell of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e46a5b11342a4df592a748531c736bd5