Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"hot ion implantation"'
Publikováno v:
Science Journal of Kanagawa University. 33:15-20
We experimentally studied three types of group-IV-semiconductor quantum-dots (IV-QDs) of Si-, SiC-, and C-QDs in a thermal SiO2 layer that were fabricated using a very simple hot-ion implantation technique for Si+, double Si+/C+, and C+ into the SiO2
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::3d3f02fe1a9b16b412b9d950d78d6634
https://kanagawa-u.repo.nii.ac.jp/records/15084
https://kanagawa-u.repo.nii.ac.jp/records/15084
Publikováno v:
Science Journal of Kanagawa University. 31:33-39
We experimentally studied the material structure and photoluminescence (PL) properties of SiC quantum-dots (QD) in a SiO2 layer (Si+/C+-OX) fabricated by double hot-Si+/C+ ion implantation into SiO2 and post N2 annealing, comparing with those of SiC-
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::9e2d1142a7c4aff1a5722d533d314419
https://kanagawa-u.repo.nii.ac.jp/records/13570
https://kanagawa-u.repo.nii.ac.jp/records/13570
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ecoffey, Serge
The aim of this research is to develop and to evaluate devices and circuits performances based on ultrathin nanograin polysilicon wire (polySiNW) dedicated to room temperature operated hybrid CMOS-"nano" integrated circuits. The proposed polySiNW dev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6753669c95a3c8d15ecef848d67fe132
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.