Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"hot carrier injection stress effect"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 14:931-934
The hot carrier injection stress effect on a 65 nm low-noise amplifier at the 70 GHz range of operation has been studied. The experimental data show that the minimum noise figure increases ( ~2 dB) and the maximum small-signal power gain decreases (~
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7e2cd74c062ab888ffd1e941de3011c6
https://doi.org/10.1109/tdmr.2014.2328496
https://doi.org/10.1109/tdmr.2014.2328496
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 11, Pp 21417-21426 (2023)
The design of countermeasures against integrated circuit counterfeit recycling requires the ability to simulate aging in CMOS devices. Electronic design automation tools commonly provide this ability; however, their models must be tuned for use with
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/325b13cdc031482593e03939c59c22ad
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits & Systems; Sep2020, Vol. 39 Issue 10, p2000-2005, 6p
Autor:
Altet, Josep1 (AUTHOR) enrique.barajas@upc.edu, Barajas, Enrique1 (AUTHOR) diego.mateo@upc.edu, Mateo, Diego1 (AUTHOR) alexandre.billong1@gmail.com, Billong, Alexandre1 (AUTHOR) xavier.aragones@upc.edu, Aragones, Xavier1 (AUTHOR) ferran.reverter@upc.edu, Perpiñà, Xavier2 (AUTHOR) xavier.perpinya@imb-cnm.csic.es, Reverter, Ferran1 (AUTHOR), Chan, Pak Kwong (AUTHOR)
Publikováno v:
Sensors (14248220). Feb2021, Vol. 21 Issue 3, p805. 1p.
Autor:
Pottipadu, Joel, Ramesh, R.
Publikováno v:
Design Automation for Embedded Systems; Dec2017, Vol. 21 Issue 3/4, p213-229, 17p
Publikováno v:
IET Signal Processing (Wiley-Blackwell); Oct2017, Vol. 11 Issue 8, p969-974, 6p
Publikováno v:
Electronics (2079-9292); 2017, Vol. 6 Issue 2, p46, 23p
Publikováno v:
IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems; Feb2017, Vol. 25 Issue 2, p774-778, 5p