Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"hole overflow"'
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 10, Iss 6, Pp 1-8 (2018)
The phenomenon of efficiency droop is comprehensively investigated in an asymmetric GaN-based laser diode (LD). Numerical simulations and experiments are both conducted. It is found that with the introduction of a sandwiched GaN/InAlN/GaN lower quant
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/01a59d86e90f43189ea875cf99f95c64
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.