Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"high-temperature reverse bias (HTRB)"'
Autor:
Chia-Hao Liu, Chong-Rong Huang, Hsiang-Chun Wang, Yi-Jie Kang, Hsien-Chin Chiu, Hsuan-Ling Kao, Kuo-Hsiung Chu, Hao-Chung Kuo, Chih-Tien Chen, Kuo-Jen Chang
Publikováno v:
Micromachines, Vol 13, Iss 9, p 1554 (2022)
This study optimized the field plate (FP) design (i.e., the number and positions of FP layers) of p-GaN power high-electron-mobility transistors (HEMTs) on the basic of simulations conducted using the technology computer-aided design software of Silv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c5a9587733df45609b8f5c0d64b2b60a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Stefaan Decoutere, Steve Stoffels, Jie Hu, Xuanwu Kang, Ming Zhao, Ben Kaczer, Isabella Rossetto, Matteo Meneghini, Benoit Bakeroot, Denis Marcon, Andrea Natale Tallarico, Guido Groeseneken
In this letter, we investigate the time-dependent breakdown mechanisms in edge terminated AlGaN/GaN lateral Schottky diodes under high-temperature reverse bias (HTRB) tests. Thanks to a combined experimental/simulation analysis, we ascribe the device
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::b26926c66a2fab692ebec4026d8c6a9d
http://hdl.handle.net/11577/3231738
http://hdl.handle.net/11577/3231738
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.