Zobrazeno 1 - 10
of 24
pro vyhledávání: '"high-temperature encapsulation materials"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lyon, Benjamin1 bejaminbpl@vt.edu, DiMarino, Christina1
Publikováno v:
Journal of Microelectronic & Electronic Packaging. 2023, Vol. 20 Issue 3, p89-94. 6p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
High-Temperature Encapsulation Materials for Power Modules: Technology and Future Development Trends
Autor:
Hanyan Gao, Pan Liu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. 12:1867-1881
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4065d57fb3323b9432ea59cb5ad2df98
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2022.3225960
https://doi.org/10.1109/tcpmt.2022.3225960
Autor:
Lyon, Benjamin, DiMarino, Christina
Publikováno v:
Advancing Microelectronics; 2024, Vol. 51 Issue 2, p24-31, 8p
Autor:
Lu, Shengchang
Gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistors (HEMTs) are favored for their smaller specific on-resistance, lower switching losses, and higher theoretical temperature limits as compared to traditional silicon (Si) power switches. They have
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/110953
Publikováno v:
Polymer-Plastics Technology & Materials; 2025, Vol. 64 Issue 3, p382-395, 14p
Publikováno v:
Journal of Polymer Science. Part A, Polymer Chemistry; 7/1/2018, Vol. 56 Issue 13, p1337-1345, 10p
Autor:
Lyon, Benjamin Peter
Power electronic systems and components that can operate in environments with ambient temperatures exceeding 250 °C are needed for innovation in automotive, aerospace, and down-hole applications. With the imminent mass electrification of transportat
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10919/115489
Autor:
Hu, Ziyao, Zhao, Dong, Wang, Yao, Huang, Linjun, Wang, Shichao, Mao, Sui, Grigoryeva, Olga, Strizhak, Peter, Fainleib, Alexander, Tang, Jianguo
Publikováno v:
Nanomaterials (2079-4991); Jun2022, Vol. 12 Issue 12, p2040-N.PAG, 16p