Zobrazeno 1 - 10
of 95
pro vyhledávání: '"high-speed devices"'
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 9, Pp 159421-159431 (2021)
Cylindrical Surrounding Double-Gate (CSDG) MOSFETs have been designed for a suitable CMOS replacement to diminish the power and area tradeoff. With these MOSFETs below 70 nm node for Semiconductor Industry Association (SIA) roadmap, the CMOS technolo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a7069eb3075648e08e9634d704869d17
Publikováno v:
Tecnología en Marcha, Pp ág 10-16 (2021)
Aluminium Gallium Arsenide (AlGaAs) is a semiconductor material used in the latest design of double heterostructure laser diodes. This semiconductor is mostly available in the arbitrary alloy form between Gallium Arsenide and Aluminium Arsenide. It i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/24b0984ce15c48f4b0bb9d6eeab6e472
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Anagnosti, Maria
Ce travail porte sur la conception, la fabrication et la caractérisation d’une photodiode très haut débit (UTC PD) et son intégration avec un préamplificateur optique à semi-conducteur (SOA) pour les liaisons optiques à courte distance à 10
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015TELE0022
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
CONG THANH, NGUYEN
Supervisor: Toshi-kazu Suzuki
マテリアルサイエンス研究科
博士
マテリアルサイエンス研究科
博士
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::ccf9a4bafcdcd064ed21381677132e53
http://hdl.handle.net/10119/10776
http://hdl.handle.net/10119/10776
Autor:
Y. Itaya, Mikio Yoneyama, Akihide Sano, Mitsuo Yamamoto, Ken-ichi Sato, Taiichi Otsuji, H. Takeuchi, Ken Tsuzuki
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 9(5):572-574
NRZ operation at 40 Gb/s has been successfully performed using a very compact module of a multiple-quantum-well (MQW) electroabsorption modulator integrated with a distributed-feedback (DFB) laser. While the DFB laser is injected with a constant curr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::76ac9583dec283c215859a1bc85f5e5b
http://hdl.handle.net/10097/47730
http://hdl.handle.net/10097/47730
Autor:
Mateos López, Javier, González Sánchez, Tomás, Pardo Collantes, Daniel, Bollaert, Sylvain, Parenty, Thierry, Cappy, Alain
Publikováno v:
GREDOS. Repositorio Institucional de la Universidad de Salamanca
instname
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004, 51, pp.521-528
IEEE Transactions on Electron Devices, 2004, 51, pp.521-528
instname
IEEE Transactions on Electron Devices
IEEE Transactions on Electron Devices, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2004, 51, pp.521-528
IEEE Transactions on Electron Devices, 2004, 51, pp.521-528
Por medio de simulaciones Monte Carlo se ha estudiado el efecto que tienen sobre las características dinamicas de HEMTs de InGaAs con 50nm de longitud de puerta dos parámetros importantes en la fabricación de los transistores: su anchura y el nive
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::7584e56df9fba87070f0ca05f5255d40
http://hdl.handle.net/10366/55880
http://hdl.handle.net/10366/55880
Autor:
G. Unterborsch, R. Steingruber, A. Seeger, W. Schlaak, Heinz-Gunter Bach, E. Droge, André Strittmatter, Andreas Umbach, T. Engel, E.H. Bottcher, W. Passenberg, Dieter Bimberg, G.C. Mekonnen
We report on the successful monolithic integration of an InP-based photoreceiver operating in the narrow band around 38 GHz at a wavelength of 1.55 /spl mu/m, The optoelectronic integrated circuit (OEIC) incorporates two types of high-speed devices,
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::6c57a97e3a2ebfdd620356dc22173a62
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/193915
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/193915