Zobrazeno 1 - 10
of 11 100
pro vyhledávání: '"high-κ dielectric"'
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 17, p 1408 (2024)
As the trajectory of transistor scaling defined by Moore’s law encounters challenges, the paradigm of ever-evolving integrated circuit technology shifts to explore unconventional materials and architectures to sustain progress. Two-dimensional (2D)
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e4f4d1959355432ab87fff36e0137162
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 1033-1039 (2022)
Gate dielectric engineering is crucial to enable two-dimensional (2D) transition metal dichalcogenides (TMDs) for logic transistor applications. In this work, we demonstrate a uniform and pinhole-free bilayer high-κ fabricated on monolayer (1L) moly
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/afe6b15075f14400913759a2871de048
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SmartMat, Vol 2, Iss 1, Pp 88-98 (2021)
Abstract Emulation of advanced synaptic functions of the human brain with electronic devices contributes an important step toward constructing high‐efficiency neuromorphic systems. Ferroelectric materials are promising candidates as synaptic weight
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c9ead7cf70eb402585a77c66f0dac5df
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Damien Richert, José Morán-Meza, Khaled Kaja, Alexandra Delvallée, Djamel Allal, Brice Gautier, François Piquemal
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 11, Iss 11, p 3104 (2021)
The importance of high dielectric constant materials in the development of high frequency nano-electronic devices is undeniable. Their polarization properties are directly dependent on the value of their relative permittivity. We report here on the n
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ba57fd9643974cc3b3795bd8018b788a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.