Zobrazeno 1 - 10
of 1 104
pro vyhledávání: '"high temperature characterization"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yinhe Wu, Xingchi Ma, Longyang Yu, Xin Feng, Shenglei Zhao, Weihang Zhang, Jincheng Zhang, Yue Hao
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 11, p 1343 (2024)
In this paper, it is demonstrated that the AlGaN high electron mobility transistor (HEMT) based on silicon wafer exhibits excellent high-temperature performance. First, the output characteristics show that the ratio of on-resistance (RON) only reache
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2c780cb81aa845e08881a413ba48b1fe
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Arno Volker, Mikael Malmström, Anton Jansson, Bevis Hutchinson, Johan Lönnqvist, Hans Sollander, Frenk Van Den Berg
Publikováno v:
Research and Review Journal of Nondestructive Testing, Vol 1, Iss 1 (2023)
The aim of this work is to acquire material data at elevated temperatures for different chemical compositions and phases as basis for numerical simulations incorporating the effect of crystalline texture. Several samples; AISI 304, interstitially fre
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/320e58a72c5c478aac70334b8c6c9ab4
Publikováno v:
In Solid State Electronics April 2020 166
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 620-626 (2022)
This paper focuses on the comparison of various advanced substrates such as trap-rich (TR), porous silicon (PSi), gold-doped (Au-Si) and smart-implants PN-junction (DP) in terms of RF performances. Both small- and large-signal measurements were perfo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8bdd0f514f874ccfac535d801d7012c6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.