Zobrazeno 1 - 10
of 105
pro vyhledávání: '"high power application"'
Autor:
Xiao Hu, Henry Antony Martin, René Poelma, Jianlin Huang, Hans van Rijckevorsel, Huib Scholten, Edsger Smits, Willem D. van Driel, Guoqi Zhang
Publikováno v:
Materials & Design, Vol 244, Iss , Pp 113185- (2024)
Resin-reinforced Ag sintering materials represent a promising solution for die-attach applications in high-power devices requiring enhanced reliability and heat dissipation. However, the presence of resin and intricate microstructure poses challenges
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/40315f8e9310416d93e7a72c0fe6dac7
Publikováno v:
Energies, Vol 17, Iss 17, p 4212 (2024)
Incorporating AC-type flying capacitors (FC) between series-connected devices is an effective way to enhance the rated voltage for high-power applications based on current source converters (CSCs). Through appropriate modulation and FC voltage contro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c0ad3decf0454791acbeea2182f75517
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Emerging Science Journal, Vol 6, Iss 1, Pp 185-200 (2022)
In this paper, a brief review of the multilevel inverter (MLI) topologies is presented. The two-level Voltage Source Inverter (VSI) requires a suitable filter to produce sinusoidal output waveforms. The high-frequency switching and the PWM method are
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/515ebd45d9704aa190059bc95f0bdc1e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 9, Pp 348-352 (2021)
In this study, in-situ MOCVD-grown SiN/AlN/Al0.05Ga0.95N HEMTs were fabricated using ALD-Al2O3/PECVD-SiO2 passivation. A high on/off current ratio of 109 and a low subthreshold swing of 64 mV/dec are achieved. The interface traps in the SiN/AlN/Al0.0
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6f9b170337c0490ca1fb9b652195623a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.