Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"heterostructure growth"'
Autor:
Talamas Simola, E, Montanari, M, Corley-Wiciak, C, Di Gaspare, L, Persichetti, L, Zöllner, Mh, Schubert, Ma, Venanzi, T, Trouche, Mc, Ortolani, M, Mattioli, F, Sfuncia, G, Nicotra, G, Capellini, G, Virgilio, M, De Seta, M
The fabrication of complex low-dimensional quantum devices requires the control of the heteroepitaxial growth at the subnanometer scale. This is particularly challenging when the total thickness of stacked layers of device-active material becomes ext
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::bceec2d3d83dace458de198facfa74fa
https://hdl.handle.net/11590/427089
https://hdl.handle.net/11590/427089
Publikováno v:
Broderick, C A, Bogusevschi, S & O’Reilly, E P 2016, Theory and optimisation of 1.3 and 1.55 μm (Al)InGaAs metamorphic quantum well lasers . in 2016 16th International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD 2016) : Proceedings of a meeting held 11-15 July 2016, Sydney, Australia . Proceedings of the International Conference on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD), Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), pp. 19-20, Numerical Simulation of Optoelectronic Devices, Sydney, Australia, 11/07/16 . https://doi.org/10.1109/NUSOD.2016.7546993
The use of InGaAs metamorphic buffer layers (MBLs) to facilitate the growth of lattice-mismatched heterostructures constitutes an attractive approach to developing long-wavelength semiconductor lasers on GaAs substrates, since they offer the improved
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::41f60a45eb7ade44dfadc13e1df8ce80
https://research-information.bris.ac.uk/ws/files/113238123/Chris_Broderick_Theory_and_optimisation_of_1.3_and_1.55_um_Al_InGaAs_metamorphic_quantum_well_lasers.pdf
https://research-information.bris.ac.uk/ws/files/113238123/Chris_Broderick_Theory_and_optimisation_of_1.3_and_1.55_um_Al_InGaAs_metamorphic_quantum_well_lasers.pdf
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1981, 16 (10), pp.579-589. ⟨10.1051/rphysap:019810016010057900⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1981, 16 (10), pp.579-589. ⟨10.1051/rphysap:019810016010057900⟩
Fast ellipsometers have made feasible real-time assessment of heterostructure growth in a vapour phase ambient. A fast ellipsometer/MO-VPE experimental system is described and the possibilities of in situ ellipsometry are investigated in the case of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1e2066456a842cecdb48306b08391b7f
https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010057900
https://doi.org/10.1051/rphysap:019810016010057900
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.