Zobrazeno 1 - 10
of 456
pro vyhledávání: '"heterojunction bipolar transistors (HBTs)"'
Autor:
Thomas Zimmer, Josef Bock, Fred Buchali, Pascal Chevalier, Michael Collisi, Bjorn Debaillie, Marina Deng, Philippe Ferrari, Sebastien Fregonese, Christophe Gaquiere, Haitham Ghanem, Horst Hettrich, Alper Karakuzulu, Tim Maiwald, Marc Margalef-Rovira, Caroline Maye, Michael Moller, Anindya Mukherjee, Holger Rucker, Paulius Sakalas, Rolf Schmid, Karina Disch, Karsten Schuh, Wolfgang Templ, Akshay Visweswaran, Thomas Zwick
Publikováno v:
IEEE Journal of Microwaves, Vol 1, Iss 1, Pp 288-298 (2021)
This paper gives an overall picture from BiCMOS technologies up to THz systems integration, which were developed in the European Research project TARANTO. The European high performance BiCMOS technology platforms are presented, which have special adv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3bc0679a9ae0498f94cba80626998dd3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tuhin Guha Neogi, Shengling Deng, Joseph Novak, Jong-Ru Guo, Ryan Clarke, Mitchell R. LeRoy, John F. McDonald, Zhaoran Rena Huang
Publikováno v:
IEEE Photonics Journal, Vol 3, Iss 1, Pp 42-56 (2011)
We present a rigorous electrical and optical analysis of a strained and graded base SiGe Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) electrooptic (EO) modulator. In this paper, we propose a 2-D model for a graded base SiGe HBT structure that is capable o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ca30f84b454d4f20b78a102ac071a72d