Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"heterojnction"'
Autor:
Zahra Ahangari
Publikováno v:
Iranian Journal of Electrical and Electronic Engineering, Vol 20, Iss 2, Pp 11-19 (2024)
In this paper, an innovative vertical bi-channel tunnel field effect transistor is presented that exploits line tunneling mechanism to achieve improved electrical performance. In this device, the source contains germanium, while the channel and drain
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eacf52f5fcc54313864e48492aec76b7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Melis Bilgic Aksari, A. Eray
Publikováno v:
Energy Procedia. 10:101-105
In this study design and optimization of a-S:H /c-Si heterojunction solar cell was done with AFORS-HET simulation program. Detailed simulation studies of I-V characterization of solar cells have been carried out with TCO/ (n) a-Si:H/ (i) a-Si:H/ (p)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ba6b244b17607e6de868891804d0f3cb
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.