Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"heatspreaders"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits, 44 (9), 2009.
This paper reviews special RF/microwave silicon device implementations in a process that allows two-sided contacting of the devices: the back-wafer contacted silicon-on-glass (SOG) substrate-transfer technology (STT) developed at DIMES. In this techn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dris___00893::c5cbd06454ba9c6163a1cb15c22e9fbe
https://doi.org/10.1109/jssc.2009.2023016
https://doi.org/10.1109/jssc.2009.2023016
Autor:
Nanver, L.K., Schellevis, H., Scholtes, T.L.M., La Spina, L., Lorito, G., Sarubbi, F., Gonda, V., Popadic, M., Buisman, K., De Vreede, L.C.N.
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits, 44 (9), 2009
This paper reviews special RF/microwave silicon device implementations in a process that allows two-sided contacting of the devices: the back-wafer contacted silicon-on-glass (SOG) substrate-transfer technology (STT) developed at DIMES. In this techn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::da986831bf8376b7bbe82fc2ae7cd7e4
http://resolver.tudelft.nl/uuid:adffe977-d4e5-4e63-ac17-065975eb2bf0
http://resolver.tudelft.nl/uuid:adffe977-d4e5-4e63-ac17-065975eb2bf0
Autor:
La Spina, L.
Publikováno v:
None
Nowadays, electrothermal effects (ET) are posing fundamental issues in nearly all branches of micro- and nano-electronics. Due to either a high power dissipation level or to the aggressive electrical isolation schemes adopted to increase the speed, b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::4ff70aab5d0b4d55742ace1e6c12a30b
http://resolver.tudelft.nl/uuid:76a2ded0-b96a-402d-a23c-db6ee4ff52b2
http://resolver.tudelft.nl/uuid:76a2ded0-b96a-402d-a23c-db6ee4ff52b2
Nowadays, electrothermal effects (ET) are posing fundamental issues in nearly all branches of micro- and nano-electronics. Due to either a high power dissipation level or to the aggressive electrical isolation schemes adopted to increase the speed, b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dris___00893::756284fb182572532bf073ae26ca4690
http://resolver.tudelft.nl/uuid:76a2ded0-b96a-402d-a23c-db6ee4ff52b2
http://resolver.tudelft.nl/uuid:76a2ded0-b96a-402d-a23c-db6ee4ff52b2
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.