Zobrazeno 1 - 10
of 224
pro vyhledávání: '"hafnium dioxide films"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 8, Iss 4, Pp n/a-n/a (2022)
Abstract For practical applications of photosynaptic devices in neuromorphic systems, photosynaptic transistors prepared using TiO2 channels and TiO2/Al2O3 deep trap interfaces exhibit high stability and retention. However, there is scope for improvi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5050330ca2d04c9cbb138e40da7a25bf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing January 2015 29:150-154
Autor:
Belyi, V. I.1, Rastorguev, A. A.2 a_rast@che.nsk.su
Publikováno v:
Russian Physics Journal. Apr2007, Vol. 50 Issue 4, p374-378. 5p. 2 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials. 8:2101061
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e2b6e96e69930bae464190cd249081b5
https://doi.org/10.1002/aelm.202101061
https://doi.org/10.1002/aelm.202101061
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hongfei Jiao, Xinbin Cheng, Jiangtao Lu, Ganghua Bao, Yongli Liu, Bin Ma, Pengfei He, Zhanshan Wang
Publikováno v:
Applied Optics (1559-128X); 3/20/2011, Vol. 50 Issue 9, pC309-C315, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.