Zobrazeno 1 - 10
of 905
pro vyhledávání: '"hafnium dioxide"'
Publikováno v:
Nano-Micro Letters, Vol 16, Iss 1, Pp 1-16 (2024)
Highlights Heterostructure constructed via confining crystalline ruthenium nanodomains by hafnium dioxide matrix was fabricated through a two-step annealing method for overall water splitting. The synergistic effect of hafnium dioxide modification an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2e65df9440a24dffb4c29e7afdfd6278
Publikováno v:
Hybrid Advances, Vol 4, Iss , Pp 100085- (2023)
In the presented work, based on the results obtained by X-ray diffraction and microstructural analysis, phase equilibria have been studied and an isothermal section of the ZrO2–HfO2–Nd2O3 ternary phase diagram at 1100 °C has been constructed. Un
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2bc8cc9c214a48e18a64553fac5ac198
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 51, Iss , Pp 106609- (2023)
We present inelastic mean free path (IMFP) and stopping power data of the hafnium dioxide applying the relativistic dielectric response theory. The energy loss function (ELF) derived from reflection electron energy loss spectroscopy spectrum with the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9ac6556541104551833dc42663cbd874
Autor:
Jie Lu, Zeyang Xiang, Kexiang Wang, Mengrui Shi, Liuxuan Wu, Fuyu Yan, Ranping Li, Zixuan Wang, Huilin Jin, Ran Jiang
Publikováno v:
Inorganics, Vol 12, Iss 2, p 60 (2024)
The investigation of dual-mode synaptic plasticity was conducted in thin-film transistors (TFTs) featuring an HfSe2 channel, coupled with an oxygen-deficient (OD)-HfO2 layer structure. In these transistors, the application of negative gate pulses res
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/984d054b55874b12a11979fbcea8833c
Autor:
Andrew T. Binder, Jeffrey Steinfeldt, Kevin J. Reilly, Richard S. Floyd, Peter T. Dickens, Joseph P. Klesko, Andrew A. Allerman, Robert J. Kaplar
Publikováno v:
Applied Physics Express, Vol 17, Iss 10, p 101003 (2024)
This work reports on high current density 1.2 kV class HfO _2 -gated vertical GaN trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). An output current density of 330 mA mm ^−1 is reported at a drain bias of five volts, which, to o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6bfced98a96d4329bbc24d8325a7950f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.