Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"growth of GaN"'
Autor:
Wen-Yang Hsu, Yuan-Chi Lian, Pei-Yu Wu, Wei-Min Yong, Jinn-Kong Sheu, Kun-Lin Lin, YewChung Sermon Wu
Publikováno v:
Micromachines, Vol 9, Iss 12, p 622 (2018)
Micron-sized patterned sapphire substrates (PSS) are used to improve the performance of GaN-based light-emitting diodes (LEDs). However, the growth of GaN is initiated not only from the bottom c-plane but also from the sidewall of the micron-sized pa
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/6a88e44552974b51b89974268ceace6d
Autor:
Grzegory, I. a, *, Boćkowski, M., Łucznik, B., Wróblewski, M., Teisseyre, H., Borysiuk, J. b, Porowski, S.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 2001 4(6):535-541
Autor:
Yuhei Ikemoto, Susumu Tsukimoto, Masanori Murakami, Sangjin Lee, Kazuhiro Ito, Koji Hirata, Yu Uchida
Publikováno v:
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. 38(4):511-517
Smooth GaN layers were successfully grown on metallic TiN buffer layers by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). One important factor in controlling GaN layer smoothness was the TiN layer thickness. We investigated systematically the effect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1b5686714698ef54bc1625a8e9730984
http://hdl.handle.net/2433/109536
http://hdl.handle.net/2433/109536
Autor:
Koji Hirata, Naoki Shibata, Susumu Tsukimoto, Masanori Murakami, Yuhei Ikemoto, Kazuhiro Ito, Yu Uchida
Publikováno v:
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS. 35(10):1806-1811
To improve GaN light-emitting diode light emission, we produced metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)-grown, continuous, flat GaN layers on metallic TiN buffer layers deposited on sapphire substrates. Three important conditions were found:
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::227a446f8d5852f5ffd93a110c35710f
http://hdl.handle.net/2433/35683
http://hdl.handle.net/2433/35683
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IndraStra Global.
We report the role of charged species N2 + on the growth of GaN films by modified activated reactive evaporation MARE . In MARE technique, substrate is subjected to low energy nitrogen ion bombardment by keeping it in conjunction with the radio frequ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ff34ce8d5bb6f5548133707fed8def83
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mauro Mosca, Caruso, F., D’angelo, A., Lullo, Giuseppe, Macaluso, Roberto, Cusumano, Pasquale, Cali, Claudio, Feltin, E.
Publikováno v:
Università degli Studi di Palermo-IRIS
Zinc oxide nanorods have great potential for the realization of high efficiency heterostructure LEDs based on p-doped GaN. Well-aligned vertical nanorods are desirable to enhance the LED outcoupling performances due to a better confinement of the lig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ae192786de43c64c08946b942e55ce38
https://iris.unipa.it/handle/10447/214243
https://iris.unipa.it/handle/10447/214243
